含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅,隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。





反應(yīng)放熱后,氟開始和碳化硅進行反應(yīng),通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應(yīng)繼續(xù)進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的,該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經(jīng)精餾而得成品。

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